2025存储前瞻：用存储加速AI，高性能SSD普适化_ssd采用的存储器芯片

纵观 2024 年，存储技术升级已经给AI计算、云端应用带来了诸多便利，从年初铠侠首 款量产车规级UFS 4. 0 推动行业发展，到RM、PM和XG系列SSD与HPE携手登陆国际空间站，再到推出容量高达2Tb的第八代BiCS FLASH™ QLC，展示下一代前瞻性的光学结构SSD，铠侠与合作伙伴一起，不仅满足了时下的存储应用需求，并已经为未来存储铺垫全新的技术可行性。

更大容量的存储

AI计算对企业级存储提出了更为严苛的要求，Tera级别参数的大模型可以轻松装满一块30TB的企业级固态硬盘，更大容量的存储解决方案势在必行。在年初，铠侠正式发布第八代BiCS FLASH™，并应对市场要求，提供TLC和QLC两个系列产品线。

其中QLC能够更好的在单位空间内提升存储容量，第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC的位密度比铠侠目前所采用的第五代BiCS FLASH™的QLC产品提高了约2. 3 倍，写入能效比提高了约70%。不仅如此，全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠 16 个芯片，为业界提供领先的4TB容量，并采用更为紧凑的封装设计，尺寸仅为11.5 x 13.5 mm，高度为1.5 mm。

这意味着，未来采用第八代BiCS FLASH QLC的存储产品在存储空间拥有质的飞跃，可以轻松将企业级SSD和数据中心级SSD容量提升至120TB以上。Pure Storage公司已经开始对第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC闪存产品展开测试，并认为利用BiCS FLASH™技术的统一全闪存数据存储平台不仅能够满足人工智能的严苛要求，还能实现极具竞争力的备份存储成本。

另外，第八代BiCS FLASH™全面优化了逻辑电路，在存储密度提升50%以上的同时，NAND I/O速度提升可达60%以上，可实现3200MT/s的传输速率，并大幅改善的读取延迟，能够从数据中心、个人电脑都提供更高的存储容量，并允许产品腾出更多的空间，留给电池、个性化，以及轻薄设计。

PCIe 5. 0 与EDSFF加速部署

PCIe 6. 0 到PCIe 7. 0 规范愈发成熟，PCIe 5. 0 企业级存储也进入到了加速普及的时间点。在今年 10 月份，铠侠正式发布了全新XD8 系列PCIe®5.0 EDSFF（企业和数据中心标准型）E1.S固态硬盘。它是铠侠第三代E1.S固态硬盘，符合PCIe 5.0（32 GT/s x 4）和NVMe 2. 0 规范，并支持开放计算项目（OCP）数据中心NVMe SSD v2. 5 规范。

PCIe 5. 0 提供了相对PCIe 4. 0 翻倍的传输效率，其高带宽和低延迟特性允许SSD在高负载场合下提供更多并发访问的可能性，更高的IOPS也允许服务器在AI、数据库、虚拟化、多媒体编辑中展现出至关重要的作用。

不仅如此，当EDSFF规范与PCIe 5. 0 搭配更是将效率提升了一个级别，EDSFF规范在散热上具备更高的效率，配合SSD设计可以获得更高的存储密度，灵活的接口形态以及对Compute Express Link™(CXL™)的支持，给存储解决方案提供更多灵活、快速的配置。

刚刚推出的铠侠XD8 系列已经做好为下一代存储提供支持的准备，它专为云和超大规模环境设计，满足数据中心对高性能、高效率和高可扩展性的日益增长的需求。通过这款新的固态硬盘，云服务提供商和超大规模企业能够优化基础设施，在保持运营效率的同时提供卓越的性能。

打造未来存储

在后5G信息和通信时代，AI已经开始产生前所未有的数据量。铠侠也在积极探讨前瞻性存储的更多可能性，比如例如基于相变存储原理打造的XL-FLASH存储级内存（Storage Class Memory， SCM）与CXL相结合，开发相较DRAM功耗更低、位密度更高，相较闪存读取速度更快的存储器。这不仅会提高存储器利用效率，还有助于节能。

按位密度和读取时间划分的存储器类别

在车规级存储领域，铠侠已经获得已获得汽车软件过程改进及能力评定（Automotive SPICE®，ASPICE）二级认证（CL2）。铠侠是首家在车规级UFS 4. 0 产品上获得该认证的公司，意味着铠侠车规级UFS 4. 0 已经进入结构化的项目管理和软件开发流程，以确保产品质量的一致性和可追溯性，不仅满足汽车制造商和一级供应商对车规级UFS 4. 0 设备严苛的软件开发和质量标准要求，也意味着在未来的高性能车规级多媒体系统中，将会铠侠车规级UFS 4. 0 的身影。

另外，铠侠还宣布开发出OCTRAM（OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM，氧化物半导体晶体管 DRAM）技术，这是一种新型4F² DRAM，由兼具高导通电流和超低漏电流的氧化物半导体晶体管组成。该技术采用InGaZnO（铟镓锌氧化物）晶体管，可将漏电率降低到极低水平，从而降低DRAM功耗。无论是SSD独立缓存还是内存产品，都有机会通过这项技术获得高性能、低功耗的产品表现。

InGaZnO晶体管的(a)导通和(b)漏电流特性

显然 2025 年依然是充满了技术挑战和技术创新的一年，铠侠与合作伙伴们已经做好了面对新挑战的准备，全新的存储技术和解决方案将会在AI加速，云端计算，虚拟化应用，数据中心部署等商业场景中大放异彩，同时笔记本电脑、手机、XR设备也将因为存储芯片的性能提升和尺寸缩小，拥有更多可能性，为用户提供更好的存储体验。