euv光刻机的关键技术_一中国企业曝接近式光刻机研发进展 但离EUV光刻机还差太远

运营商财经 康钊/文

近日，一家名为大族激光的公司在接受机构调研时表示，目前，公司光刻机项目主要应用在分立器件领域，分辨率3-5μm；其中，接近式光刻机已投入市场，步进式光刻机已启动用户优化。一开始，这令不懂行的外界振奋，但懂行的业内人士仍然笑不起来，因为接近式光刻机是很老的技术。

中国企业勇于研发光刻机，这值得夸赞，只有研发光刻机的企业越来越多，中国光刻机的技术水平才会越来越高。而且，低端的光刻机也是大有市场的。

此次大族激光宣布的接近式光刻机，又称非接触式光刻。是一种使涂敷在从片上的光敏材料，经受穿过与其接近但不接触的光学掩模版的光福照曝光，从而复印出光学掩模版图形的方法。

其原理是：在接近式光刻 中，会连续复制整个硅片图形，掩模版不与光刻胶直接接触。它与光刻胶表面接近，在掩模版和硅片表面光刻胶之间大约有2.5~25微米的间距 。光源产生的是被准直的，光束彼此平行。

接近式光刻机出现的年代太早了。70年代初，美、日等西方国家分别研制出多种型号的接近式光刻机，为了适应我国大规模集成电路制造技术当前的发展需要，1978年，中科院半导体所开始研制JK-1型半自动接近式光刻机。

接近式光刻机之后是第三代的扫描投影式光刻机，在这种技术下光学曝光分辨率增强得到了突破，将光刻推向了深亚微米和百纳米级别。

第四代是步进式扫描投影光刻机，第五代是EUV光刻机，就是现在各国追求的尖端光刻机。

从第三代光刻机开始，我国光刻机技术就全面落后于欧美，这其中很大原因就是美国的技术封锁，比如国外工艺线已用0.5m的机器的时候，却只对我国出口1.5m的机器，整整差了三代。

此外，在80年代，巴统规定对我国出口的DSW光刻机，镜头NA必须小于0.17，即只能有2m以上的分辨率。

而如今，美国又想重演这一幕，想联合盟友对中国光刻机技术进行封杀，拖慢中国半导体产业的进程。但时代不一样了，中国的高科技研发能力已今非昔比。

荷兰光刻机巨头ASML曾嘲笑中国光刻机产业：“就是给全套图纸，中国人也造不出光刻机来。”历史会证明这是个笑话。