三星纳米技术「希望新工艺击败主要竞争对手 三星正向2纳米工艺大步迈进」

2 月 24 日消息，根据韩媒 Sedaily 报道，三星正向 2 纳米工艺大步迈进，已讨论为高通和三星的 LSI 部门生产原型产品，表明一款未命名的 Exynos 可能正处于早期测试阶段。

消息称三星晶圆代工厂（Samsung Foundry）正在开发一种非常先进的 SF2 GAAFET 工艺，希望在未来的 2 纳米节点领域击败其主要竞争对手。

而最新报道称三星已经和高通深化合作关系，高通会使用三星代工厂最新的全栅极（GAA）工艺技术，优化和开发下一代 ARM Cortex-X CPU。

高通公司有可能正在评估 2 纳米 SF2 GAAFET 工艺，以用于遥远的骁龙 8 Gen 5 芯片组，而三星 LSI 则可能正在开发 2 纳米 "Exynos 2600" 系统芯片设计。

此前有消息称，三星正在开发配备 10 核 CPU 集群的 Exynos 2500，该芯片组将直接接替 Exynos 2400，但不太可能使用 2nm 工艺进行量产，因为这种光刻技术预计要到 2026 年才会投入使用。

IT之家此前援引 ETNews 报道，高通公司已要求三星和台积电提供 2nm 样品，但这项技术可能会用于未来的骁龙 8 Gen 5，而不是即将推出的骁龙 8 Gen 4。

就进展而言，三星已经在 2nm 工艺的竞争中领先于台积电，据说它获得了第一个客户--一家名为 Preferred Networks (PFN) 的日本初创公司。

报道称三星通过增强其自家的 Exynos 芯片，从而降低对高通骁龙芯片的依赖，这其中一个重要原因是，高通公司不断提高高端 SoC 的定价，三星希望凭借着 2nm 进一步降低依赖。