三星公布芯片计划：3年内量产2纳米 5年内超越台积电

快科技10月20日消息，当地时间19日，三星电子在德国慕尼黑举办了三星代工论坛2023”，并公布了其先进工艺路线图和代工战略。

在此次论坛上，三星展示了从最先进的2纳米工艺到8英寸传统工艺一系列汽车行业定制解决方案。

三星代工事业部总裁Siyoung Choi表示：目前我们正在加大投入准备工作，为客户提供功率半导体、微控制器、先进的自动驾驶人工智能芯片等多种解决方案。”

三星强调，其将在2026年完成车用2nm芯片的量产；同时还透露了其开发业界首款5nm eMRAM的计划。

自2019年成为业内首家量产基于28nm工艺eMRAM的公司以来，三星计划2024年量产14nm车用eMRAM，然后在2026年和2027年量产8nm和5nm车用eMRAM。

三星官方表示，8nm eMRAM与14nm相比，预计集成度将提高30%，速度提高33%。

此外三星还计划到2025年将目前的130mm车用BCD工艺提升至90nm，与130nm相比，90nm的BCD工艺将使芯片面积减少20%。

根据此前DigiTimes的报道，三星半导体和设备解决方案（DS）部门负责人Kye Hyun Kyung曾公开表示，要在未来5年内超越台积电和其它行业巨头。

而台积电总裁魏哲家在昨天的法人说明会上披露，台积电有望在2025年量产2nm工艺芯片。