N沟道功率MOSFET——TPH9R00CQ5 东芝推出新款150V_东芝mos管

【】3月31日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代U-MOX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。

TPH9R00CQ5具有行业领先的9.0mΩ（最大值）的低漏源导通电阻，与东芝现有产品“TPH1500CNH1”相比降低了约42%。与此同时，与东芝现有产品“TPH9R00CQH4”相比，反向恢复电荷减少约74%，反向恢复时间缩短约44%，上述指标是体现同步整流应用性能的两大关键反向恢复指标。新产品面向同步整流应用，降低了开关电源的功率损耗，有助于提高系统效率。此外，与TPH9R00CQH相比，新产品减少了开关过程中产生的尖峰电压，有助于降低电源的EMI。

该产品采用业界广泛认可的表面贴装型SOP Advance（N）封装。

此外，东芝还提供支持开关电源电路设计的相关工具。除能够迅速验证电路功能的G0 SPICE模型外，现在还提供能够准确地再现电路瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。

应用 ：

工业设备电源，如用于数据中心和通信基站的电源。

开关电源（高效率DC-DC转换器等）。