终结FinFET晶体管！台积电正式公布2nm：功耗降低30%_台积电2nm技术重大突破

　　6月17日早间消息，台积电在今日举办的2022技术论坛上，首度推出下一代先进制程N2，也就是2nm。

　　技术指标方面，台积电披露，N2相较于N3，在相同功耗下，速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%，开启高效能新纪元。

　　就纵向对比来看，2nm之于3nm的提升，似乎不如3nm之于5nm，包括但不限于性能、功耗、密度等所有核心参数。

　　在微观结构上，N2采用纳米片电晶体(Nanosheet)，取代FinFET(鳍式场效应晶体管)，外界普遍认为，纳米片电晶体就是台积电版的GAAFET(环绕栅极晶体管)。

　　台积电还表示，N2不仅有面向移动处理器的标准工艺，还会有针对高性能运算和小芯片(Chiplet)的整合方案。

　　时间节奏方面，N2将于2025年量产。

　　另外，根据台积电最新技术路线图，第一代3nm(N3)定于下半年量产，3nm也会比较长寿，后续还有N3E、N3P和N3X。