“基于第三代半导体光源的低投射比投影仪关键技术”通过科技成果评价

11月30日，中国高科技产业化研究会在北京严格按照科技部《科学技术评价办法》的有关规定，严格按照科技成果评价的标准及程序，本着科学、独立、客观、公正的原则，组织专家对由广东省院士成果转化基地发展有限公司研发的“基于第三代半导体光源的低投射比投影仪关键技术”项目进行了科技成果评价。

据悉，此次评价会由科技部、工信部、总后勤部建筑设计研究院、有色金属研究总院、北京交通大学、北京科技大学、国家电光源质检中心等部门行业的专家组成。

在听取项目完成单位的技术总结报告，并对评价资料进行审查后，评价委员会认为，本次研发将第三代半导体LED作为投影仪光源，不仅实现第三代半导体的规模化应用，也实现了投影仪产品的重大技术突破。

“低投射比的第三代半导体投影仪科技成果转化可应用于教育、办公、影院、娱乐、广告等领域，并将快速形成产业链体系，带动周边经济结构转型，有效解决当地就业、带动地方上下游经济发展，对地方工业经济、行业发展具有重大意义。”据项目方广东省院士成果转化基地发展有限公司教授童玉珍介绍，在“第三代半导体光源的低投射比投影仪关键技术”研发方面，目前已自有授权软件著作权8项，发明专利8件、实用新型专利2件、外观专利1件。其还透露，公司已制定针对相应投影仪产品的企业标准和应用技术规程，并计划申请编制国家标准项目。

经专家评价委员会评审，该项目技术已达到国际先进水平，一致同意“基于第三代半导体光源的低投射比投影仪关键技术”通过科技成果评价，并表示，该项目制备了氮化镓基蓝绿光第三代半导体LED材料和器件，作为投影仪的光源，具有高电子密度、高迁移率、长寿命、高光效、高色域的特性；其自主研发的折反式超短焦变焦投影镜，通过镂空非球面反射镜中心，同时使用平面和球面反射镜折转光路，解决了同轴光束遮挡的关键问题，实现了0.19的低投射比；以及通过两次化学镀层法在AlN陶瓷散热基板表面均匀沉积了厚度为20μm的Cu层，并通过X射线衍射图谱确定AlN陶瓷基板与铜镀层间是以机械键合的方式结合，同时使用新型的三元收缩散热通道，提高了系统的散热性能，减少了对空间的占用。