三星电子计划明年扩大晶圆代工与DRAM产能，拟新设至少10台EUV「三星3纳米芯片2021年量产」

　　韩国《首尔经济日报》12月25日消息，尽管明年全球经济将放缓，三星电子仍计划明年在其最大半导体工厂增加芯片产能。

　　据悉，三星电子位于韩国平泽的P3晶圆厂将扩增DRAM设备，每月可生产7万片的12寸晶圆，高于目前P3厂DRAM产线的每月2万片产能。三星电子计划利用新的设备生产12纳米级DRAM。截至今年第三季度，三星每月的DRAM晶圆总产量为66.5万片。

　　此外，三星电子计划将P3厂的每月晶圆产量提高3万片。截至今年第三季度，三星电子的每月晶圆代工整体产量为47.6万片。据报道，三星电子还决定明年将新设至少10台极紫外光刻设备（EUV），目前数量为40台。