比亚迪半导体：IGBT 5.0 技术已实现量产，正积极布局新一代技术(比亚迪碳化硅igbt)

　　12 月 31 日消息，在 12 月 28 日举行的第三届硬核中国芯领袖峰会暨汽车芯片技术创新与应用论坛上，比亚迪半导体功率半导体产品中心高级市场经理孙允帅表示，目前，比亚迪半导体基于高密度 Trench FS 的 IGBT 5.0 技术已实现量产。

　　据介绍，比亚迪半导体正在积极布局新一代 IGBT 技术，致力于进一步提高 IGBT 芯片的电流密度，提升功率半导体的可靠性，降低产品成本，提高应用系统的整体功率密度。 未来，比亚迪半导体 IGBT 芯片将在核心技术、制造工艺及结构设计等方面不断寻求突破。

　　此外，比亚迪半导体 SiC 车用功率模块，具有 Pin-fin 直接水冷结构，结构十分紧凑，仅一个手掌大小，输出功率 250KW。

　　孙允帅表示：“后期，比亚迪半导体将往超小型双面烧结 SiC 发展，其具有应用灵活、散热效率高等优势。目前有关产品在研中，预期实现产品革新的又一跨越。”

　　官方信息显示，比亚迪半导体以车规级半导体为核心，同步推动工业、家电、新能源、消费电子等领域的半导体业务发展，持续量产 IGBT、SiC、IPM、MCU 等产品。比亚迪半导体是全球首家、国内唯一实现 SiC 三相全桥模块在新能源汽车电机驱动控制器中大批量装车的功率半导体企业。