能效提升46%，三星UFS4.0闪存发布_ufs闪存3.1

　　5月5日消息，近日，三星正式推出UFS4.0闪存，并计划于今年第三季度开始量产。

　　据了解，三星UFS4.0 闪存在基于最新的 JEDEC 标准规范的基础上增强了产品的多样化;借助三星第 7 代 V-NAND 技术和专有的控制器，三星UFS 4.0 达到了 4200MB/s的顺序读取速度和 2800MB/s的顺序写入速度。与三星UFS 3.1闪存相比，三星UFS 4.0闪存带宽翻倍，实现了每通道23.2Gbps的速度。此外，三星UFS 4.0闪存的能效表现也更优秀，6.0MB/s/mA的顺序读取速度较上代UFS 3.1有 46%的提升。

　　三星UFS4.0闪存提供最高1TB 容量供选择，对于需要大量数据处理的 5G 手机，以及未来智能汽车、AR 和 VR 等领域来说，三星UFS4.0 将会是更好的选择。此外，出于空间利用和设计便利考量，三星UFS 4.0 采用11mm x 13mm x 1mm的紧凑型封装。