1γ节点开始导入 美光确认EUV工艺DRAM内存芯片2024年量产

　　美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采访中确认，美光已将EUV技术纳入DRAM技术蓝图，将由10nm世代中的1γ(gamma)工艺节点开始导入。

　　美光EUV工艺DRAM将会先在台中A3厂生产，预计2024年进入量产阶段。

　　注意，这个是1γ工艺，不是之前的1y工艺，10nm级别的内存工艺中前三代是1x、1y、1z，再往后是1a、1β、1γ等。

　　在美光之前，三星及SK海力士都更早进入了EUV节点，从去年底就开始部署EUV光刻工艺了，而且比美光更激进，最快在1a工艺节点就会量产EUV内存芯片。